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求人情報
①【SiC/GaNデバイスの設計開発】即戦力採用
- 仕事内容
- 化合物半導体を用いたパワーデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。 入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。 <具体的な業務内容の例> ・SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET、SBDなど)の構造設計・シミュレーション ・TCADを活用したデバイスパフォーマンスの最適化 ・試作~特性評価(電気的・熱的) ・顧客要求仕様の分析と製品スペック設計 ・量産移管に向けたプロセス部門との連携および最適化支援 仕事内容の変更範囲:変更無し
- 就業場所
- 京都府府京都市西京区御陵大原1‐39大桂ベンチャープラザ南館2203号室
- 給与
- 月給 420,000円~583,000円
- 年間休日
- 124日
- 雇用形態
- 正社員
- 経験
・パワー半導体デバイスのチップ設計、開発(3年以上必須) ・英語又は中国語日常会話(あれば尚可)
- 年齢制限
- 〜64歳(定年制度を上限とするため)
- 学歴
- 高専卒以上
- 就業時間
(1)9時00分~18時00分
- 休憩時間
60分
- 休日・休暇
*年末年始
- 諸手当
通勤手当あり(月額 20,000円)
その他手当あり(パケット手当 5,000 円~5,000 円/*年俸制及び専門業務型裁量労働制を採用 *年俸÷12月で月額表示)- 加入保険等
- 雇用保険、健康保険、労災保険、厚生年金保険
- マイカー通勤
- 可
- 特記事項
-
*昇給については成果・実績に応じて配分あり *服装自由 *社内ソフトドリンク無料 ■本ポジションの魅力・独自性 ◆「工場の制約」から解放された、真のファブレス開発 「作りたいデバイスに最適な工場」を世界中から選定できます。 「物理法則とスペック」に向き合える、設計者としての本質的な仕事に集中できます。 ◆SiC/GaN開発を「本業」として、全精力を注げる環境 事業の100%を次世代パワーデバイスに特化。 この案件はハローワーク求人情報です。
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また、この求人に応募される場合は、最寄のハローワークに行き、紹介状を発行して頂く必要がございます。※紹介状は、再就職手当・就業手当を受け取る時に必要な場合があります。
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※どこのハローワークでも手続きできます
案件番号: 26010-00218061
受理安定所名: 京都西陣公共職業安定所
- 情報公開日
- 2026/01/05 00:00
企業情報
Anjet Research Lab株式会社
- 事業内容
-
業界最先端のSiC、GaNなどのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社です
- 会社概要
-
- 社名
- Anjet Research Lab株式会社
- 設立
- 令和元年
- 代表者
- 呉 文景
- 資本金
- 7,000万円
- HP
- http://anjet.com/ja-jp/
- 所在地
- 京都府京都市西京区御陵大原1‐39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
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